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Smart Energy 2018
(2018)
Die vorliegende Masterthesis beschreibt die Entwicklung eines Strahlenharten CAN Physical Layer in einer 65 nm CMOS Technologie für das Kontrollsystem des ATLAS Pixeldetektors. Dieser CAN Physical Layer ist Bestandteil des DCS Chips (Detector Control System), der im Rahmen des Upgrades des ATLAS Pixeldetektors zum High Luminosity Large Hadron Collider (HL-LHC) entwickelt wird. Die Aufgabe des DCS Chips ist die Steuerung und Überwachung der Sensorik des ATLAS Pixeldetektors. Die Transistoren der verwendeten Technologie dürfen mit maximal 1,2 Volt betrieben werden. Um dennoch die Kompatibilität zum CAN Standard beizubehalten ist es notwendig mit wesentlich höheren Spannungspegeln zu arbeiten. Im Verlauf dieser Masterthesis werden zu diesem Zweck ein CAN Treiber, ein Levelshifter und ein CAN Empfänger entworfen, die dazugehörigen Layouts erstellt und die Eigenschaften der Schaltungen auf dem ersten gefertigten Prototyp des DCS Chips vermessen.
Diese Ausarbeitung dokumentiert die Verifikation des Shunt-Low-Dropout-Spannungsreglers
für den Einsatz im ATLAS- und CMS-Projekt. Im Rahmen einer Kooperation zwischen der
Fachhochschule Dortmund und dem Forschungsinstitut CERN in Genf wird eine integrierte
CMOS Schaltung zur seriellen, strombasierten Spannungsregelung der Pixeldetektormodule
entwickelt. Der Fokus dieser Masterthesis ist die simulationstechnische Verifikation unter
Berücksichtigung der spezifizierten Einsatzbedingungen in den Experimenten und umfasst -
neben einer Einführung in den Shunt-LDO Regler auf Basis des Testchip C - die Vorstellung
und Dokumentation der erarbeiteten Simulationsergebnisse.