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This thesis presents a power simulation of a MIPS MicroAptiv UP Core implemented as
a virtual ASIC prototype using Taiwan Semiconductor Manufacturing Company(TSMC)
65 nm CMOS technology. Based on the MIPS instruction set program data is generated
and introduced in the simulation by means of initialization files. Before the simulation,
technology specific SRAM modules are integrated into theMIPS core. Two different programs
are used for power characterization. The first program performs frequent memory
accesses by means of load/store word instructions, while the second program is a loop
which operates on registers only and mainly increments addresses. The simulation is
based on a virtual prototype which is generated by synthesis and place & route including
post-layout parasitic extractions. The stimuli for the power extraction is generated
via gate-level simulation and forwarded to the power calculation engine. The effect of X-propagation
on gate-level simulations is avoided by modifying the address-related statements
in the execution data path module, which use another form of 2 to 1 multiplexer,
setting the output to zero for all input signals even with an initial value of ’x’ without
changing the functionality. Finally, the consumed power is provided by reports generated
by the power simulation engine. The memory-centric program consumes 35.39mW
of internal power using instructions, which is 0.73mW less than the internal power of the
register-centric program, and the overall average power is also lower by almost 0.7mW.
Ionisierende Strahlung kann bei höheren Dosisleistungen lebensgefährlich sein. Um die Menschen vor solch einer Strahlung warnen zu können, wird im Rahmen dieser Arbeit die Entwicklung eines Messkonzeptes in CMOS Technologie zur Detektion ionisierender Photonenstrahlung durch ein elektronisches Personendosimeter beschrieben. Die entwickelte Schaltung soll später in einem Personendosimeter im klinischen Umfeld zum Einsatz kommen. Zusätzlich werden die Charakteristiken einer PIN-Diode untersucht. Die Schaltung wird auf Transistorebene aufgebaut, sodass sie später als integrierte Schaltung in einem Chip hergestellt werden kann.