Entwurf eines strahlenharten 5V Spannungsreglers aus kaskodierten Dünngate-Transistoren in einer 65nm CMOS Technologie
- Der vorliegende Bericht „Entwurf eines strahlenharten 5V Spannungsreglers aus kaskodierten Dünngate-Transistoren in einer 65nm CMOS Technologie“ beschreibt eine an der Fachhochschule Dortmund im Fachbereich Elektrotechnik im Rahmen der Masterthesis durchgeführte Studie. Ziel des Projekts ist die Entwicklung eines 5V Spannungsreglers, der einen CAN zu I2C Brücken Chip mit Spannung versorgt. Dabei ist zu beachten, dass die Core Transistoren in 65nm CMOS mit einer maximalen Spannung von 1,2V betrieben werden können. Der Chip soll für die Steuerung des Atlas Pixel Detektors am CERN eingesetzt werden.
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| Dokumentart: | Masterarbeit |
|---|---|
| Verfasserangaben: | Semih Yilmaz |
| Betreuer: | Michael Karagounis |
| Sprache: | Deutsch |
| URN: | urn:nbn:de:hbz:dm13-30621 |
| DOI: | https://doi.org/10.26205/opus-3062 |
| Jahr der Fertigstellung: | 2019 |
| Veröffentlichende Institution: | Fachhochschule Dortmund |
| Verleihende Institution: | Fachhochschule Dortmund |
| Datum der Abschlussprüfung: | 17.12.2019 |
| Datum der Freischaltung: | 07.07.2021 |
| Seitenzahl: | 71 |
| Fachbereiche und Institute: | Informationstechnik (ab März 2017) |
| DDC-Sachgruppen: | 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften / 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau / 621.3 Elektrotechnik, Elektronik |
| Abschlussarbeiten: | Masterarbeiten |
| Lizenz (Deutsch): |  Creative Commons - CC BY-ND - Namensnennung - Keine Bearbeitungen 4.0 International |
