TY  - THES
U1  - Master Thesis
A1  - Yilmaz, Semih
T1  - Entwurf eines strahlenharten 5V Spannungsreglers aus kaskodierten Dünngate-Transistoren in einer 65nm CMOS Technologie
N2  - Der vorliegende Bericht „Entwurf eines strahlenharten 5V Spannungsreglers aus kaskodierten Dünngate-Transistoren in einer 65nm CMOS Technologie“ beschreibt eine an der Fachhochschule Dortmund im Fachbereich Elektrotechnik im Rahmen der Masterthesis durchgeführte Studie.
Ziel des Projekts ist die Entwicklung eines 5V Spannungsreglers, der einen CAN zu I2C Brücken Chip mit Spannung versorgt. Dabei ist zu beachten, dass die Core Transistoren in 65nm CMOS mit einer maximalen Spannung von 1,2V betrieben werden können. Der Chip soll für die Steuerung des Atlas Pixel Detektors am CERN eingesetzt werden.
Y2  - 2019
UN  - https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:hbz:dm13-30621
U6  - https://doi.org/10.26205/opus-3062
DO  - https://doi.org/10.26205/opus-3062
SP  - 71
S1  - 71
ER  -