@phdthesis{Yilmaz2019,
  type      = {Master Thesis},
  author    = {Yilmaz, Semih},
  title     = {Entwurf eines strahlenharten 5V Spannungsreglers aus kaskodierten D{\"u}nngate-Transistoren in einer 65nm CMOS Technologie},
  doi       = {10.26205/opus-3062},
  url       = {https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:hbz:dm13-30621},
  pages     = {71},
  year      = {2019},
  abstract  = {Der vorliegende Bericht „Entwurf eines strahlenharten 5V Spannungsreglers aus kaskodierten D{\"u}nngate-Transistoren in einer 65nm CMOS Technologie" beschreibt eine an der Fachhochschule Dortmund im Fachbereich Elektrotechnik im Rahmen der Masterthesis durchgef{\"u}hrte Studie. Ziel des Projekts ist die Entwicklung eines 5V Spannungsreglers, der einen CAN zu I2C Br{\"u}cken Chip mit Spannung versorgt. Dabei ist zu beachten, dass die Core Transistoren in 65nm CMOS mit einer maximalen Spannung von 1,2V betrieben werden k{\"o}nnen. Der Chip soll f{\"u}r die Steuerung des Atlas Pixel Detektors am CERN eingesetzt werden.},
  language  = {de}
}